IT之家4月18日消息，科技媒体Wccftech昨日(4月17日)发布博文，报道称三星电子为应对AI市场需求激增，并匹配英伟达等主要客户每年推出新AI加速器的节奏，将高带宽内存(HBM)开发周期从2年大幅缩短至1年。
消息称三星电子战略调整高带宽内存(HBM)业务，为确保每年都能推出新一代HBM标准，放弃沿用多年的2年产品迭代周期，转而采用1年开发周期。
IT之家注：HBM是AI加速器的核心组件，三星作为该领域的关键供应商，目前最新产品为HBM3E，下一代HBM4预计今年随英伟达Vera Rubin及AMD Instinct MI400平台一同推出。
行业分析师认为，1年周期能帮助三星在与美光、SK海力士的竞争中巩固技术优势，避免在快速迭代的AI内存市场掉队。
同时，这也将助力三星在未来的定制化HBM5市场获得领先地位，满足全球科技巨头缩短开发周期、优化供应链的需求。
缩短开发周期的关键，在于三星公司的全产业链掌控能力，为加速迭代提供了坚实基础，内部完成从基础裸片生产、内存堆叠到封装的全流程，并已拥有适配其HBM业务的理想基础裸片解决方案。
